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淺談Bcimso型微差壓抗干擾變送器的特性優(yōu)缺點對比來源:上海上自儀表股份作者:上海自儀公司
通過將RF-MEMS單片集成在微差壓抗干擾變送器制造技術應用中,可以為未來的雷達和成像系統(tǒng)開發(fā)高度集成且具有成本效益的電路。同樣,高性能,可靠的RF-MEMS開關的開發(fā)已經通過激光多普勒振動法(LDV)和相干掃描干涉法(WLI)得以實現。 BcimsoRF-MEMS開關集成 對于WLAN,雷達和成像等毫米波應用, 微差壓抗干擾變送器技術變得越來越有趣。這些應用經常需要可重配置集成電路(IC)。RF-MEMS及其改進的RF性能對于不同的頻帶,發(fā)射器,接收器和天線之間的信號路徑切換以及相控陣系統(tǒng)都是有益的。 電容型RF-MEMS開關被單片集成到IHP的微差壓抗干擾變送器技術的后端(BEOL)中,從而使晶體管和MEMS之間的互連非常短。然后,這防止或至少非常小化了高頻寄生效應。 對前三項的Bcimso金屬化層執(zhí)行該切換。金屬1產生用于靜電驅動的高壓電極。金屬2用作RF信號線。金屬3定位懸浮膜??梢酝ㄟ^向電極施加電壓來更改膜位置。這改變了Bcimso信號線和懸浮膜之間的電容耦合,進而導致高頻信號的有效切換。 本文主要由:上海自動化儀股份有限公司自儀三廠描述:信息來源于:http:///轉載請標此處。2019-12 |