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新聞詳情

淺談Bcimso型微差壓抗干擾變送器的特性優(yōu)缺點對比

來源:上海上自儀表股份作者:上海自儀公司
    通過將RF-MEMS單片集成在微差壓抗干擾變送器制造技術應用中,可以為未來的雷達和成像系統(tǒng)開發(fā)高度集成且具有成本效益的電路。同樣,高性能,可靠的RF-MEMS開關的開發(fā)已經通過激光多普勒振動法(LDV)和相干掃描干涉法(WLI)得以實現。
     BcimsoRF-MEMS開關集成
          對于WLAN,雷達和成像等毫米波應用, 微差壓抗干擾變送器技術變得越來越有趣。這些應用經常需要可重配置集成電路(IC)。RF-MEMS及其改進的RF性能對于不同的頻帶,發(fā)射器,接收器和天線之間的信號路徑切換以及相控陣系統(tǒng)都是有益的。
      電容型RF-MEMS開關被單片集成到IHP的微差壓抗干擾變送器技術的后端(BEOL)中,從而使晶體管和MEMS之間的互連非常短。然后,這防止或至少非常小化了高頻寄生效應。
對前三項的Bcimso金屬化層執(zhí)行該切換。金屬1產生用于靜電驅動的高壓電極。金屬2用作RF信號線。金屬3定位懸浮膜??梢酝ㄟ^向電極施加電壓來更改膜位置。這改變了Bcimso信號線和懸浮膜之間的電容耦合,進而導致高頻信號的有效切換。

 
     微差壓抗干擾變送器實驗裝置
     開發(fā)RF-MEMS開關需要幾種機械,電氣和RF特性化方法。機電性能至關重要,因為射頻性能會受到其強烈影響。優(yōu)選光學表征技術,因為在對微差壓抗干擾變送器器件性能的零影響下可以進行非常高分辨率的測量。
    使用MSA-500的LDV進行RF-MEMS開關的200毫米晶圓級自動機電運動表征,并使用WLI分析靜態(tài)變形。LCD具有nm范圍位移分辨率和μm空間分辨率的“平面外”運動檢測能力,使LDV成為過程控制的出色測量方法。
    結果
    可以通過施加不同的驅動電壓來提取微差壓抗干擾變送器諸如吸合電壓和開關時間之類的參數。圖3中展示的RF-MEMS開關技術可以實現出色的均勻性。
    膜片位移可以得出有關機械彈簧常數和殘余應力影響的結論。機械,電氣和RF性能受殘余應力的影響很大,因此需要定期檢測。
    充電和疲勞會導致設備故障,這意味著微差壓抗干擾變送器成功應用的主要障礙是可靠性。可以與LDV并行測試多個開關,這對于可靠性檢測和反過來改善設計很有用。超過數十億的開關周期,并行測試的能力實現了快速且經濟高效的分析。
    結論與展望
     2015至2019年以來,RF-MEMS開關的集成線路的性能,工藝測量的良率和可靠性方面都取得了很大成就。這部分是由于LDV和WLI的應用。通過多次實驗和測試數據后 對未來的經濟高效地檢測晶圓級的機電性能,從而開發(fā)出可靠的毫米波系統(tǒng)。近2年開發(fā)的芯片對微差壓抗干擾變送器的智能天線陣列為典型案列。

          本文主要由:上海自動化儀股份有限公司自儀三廠描述:信息來源于:http:///轉載請標此處。2019-12

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